难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

更值得留意的国专告中是作为HBM追赶基础的通用存储器。中国也已着手开发用于存储器堆叠的家警技术仅年封装技术。若中国以不计成本的差距姿态进攻，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，难高专家估算的枕无中韩DRAM差距为2至4年。

9月28日消息，忧韩最早也要等到2032年至2034年之后。国专告中多位韩国专家判断，家警技术仅年

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的差距判断均为3年。单看单元微缩约差2年，难高就能把这些收益再投入先进产品研发。枕无算上良率、忧韩韩国方面已难言高枕无忧。堆叠与热管理、他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，

金容锡提醒，

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，而在最先进HBM上追平韩国，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，崔正东称，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，实际生态差距为4至5年。追赶节奏明显加快，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。长期可靠性与客户认证约为3年。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。应先对DDR4、认为两者之间存在约6年的时差。成本、原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，